在本文中引用：随着AI继续重新定义计算机限制，也必须同时开发推动这些进步的基础架构。作为电力半导体技术的领导者，ROM荣幸地成为支持NVIDIA（HVDC）新高压当前建筑的主要硅供应商之一。这是数据中心设计的重大变化，这使MW AI工厂更加高效，可扩展和可持续性。 ROM不仅提供硅电源组件（SI），而且还提供了丰富的产品线，其中包括宽带半导体，例如碳化硅（SIC）和氮化碳（GAN），它允许您为数据中心设计提供足够的解决方案。由于其极其有利可图和可靠性，如果MOSFET被广泛用于能源转换为AU设备市场策略和工业家。 MOSFET还适用于当前AI基础架构的更新，价格余额，效率AND的可靠性非常平衡。 ROHM的领导者MOSFET是RY7P250BM，已被认证为全球云平台公司推荐的设备。作为专门为AI服务器的必需热交换电路设计的48V电源系统，该产品使用100V电源MOSFET。小型8080包装提供了整个行业的安全工作空间，可提供1.86mΩ的超低阻力。需要高密度和高可用性的云平台有助于降低能源损失并提高系统可靠性。 SIC组件的优点是，它们可以减少行业和其他领域中的中和高电压应用中的损失。 NVIDIA 800V HVDC体系结构旨在为具有超过1MW功率的服务器架子提供。通过大规模实施计划，这将在未来发挥关键作用。这种新基础设施的核心是在800V dc直接从网格转换13.8kV AC的能力。除了受到限制物理空间（满足小型化需求），传统的54 V机架能量系统还遭受诸如铜使用和高能量转换损失等问题。 ROHM SIC MOSFET不仅通过减少开关和驾驶损失来提高效率，而且还达到了高密度系统的高密度系统的高度可靠性，还可以在高压和高功率环境中提供出色的性能。这些特征与HVDC NVIDIA 800V体系结构的要求完全一致，该体系结构旨在“减少铜的使用”，“最小化能源损失”和“数据中心的一般能量转换”。此外，作为SIC产品补充，ROM正在积极促进GAN技术的研究和开发，现在已经启动了Ecogan™产品系列，包括150V和650 V，其中包括HEMT电压，门控制器和构成这些设备的电源阶段的IC。虽然SIC提供出色的性能在高压和高电流应用中，GAN在100 V-650V的电压范围内提供了出色的性能，具有极好的抵抗力，具有介电分解，低电阻和超快速开关功能。此外，Nano Trust Control™技术支持属性，以进一步提高其切换性能并将脉冲宽度最低降低至2NS。这些产品完美地满足了AI数据中心的它们，用于微型和高效的能源系统。除了电源设备外，ROM还推出了高输出能源SIC模块产品，例如使用第四代SIC芯片的HSDIP20上热量耗散。这些1200 V SIC模块针对基于LLC和初级DC-DC转换器的AC-DC转换器进行了优化，从而允许高效率和高密度转换。极好的热耗散和可扩展性使其成为超过兆瓦水平的AI工厂的最佳选择，包括800V功率传输和分发NVIDIA架构期望的UTION系统。实现800V HVDC基础设施需要行业的联合合作。作为开展下一代AI工厂的重要合作伙伴，ROM是NVIDIA这样的行业领导者。我们将与IDDAR进行密切合作，但我们还将与数据中心和能源制造商提供详细的合作。通过为罗马专业SIC和GAN等广泛的乐队半导体提供先进的技术，我们将为创建能源的可持续和高效的数字社会做出贡献。